2015-06-24 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 BPX 81 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450 ... 1100 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: nm (typ) 450 ... 1100 nm Package: Miniature Array, Epoxy Gehuse: Miniatur Array, Harz Special: One-digit array package Besonderheit: Einstellige Zeilenbauform High linearity Hohe Linearitt Available in groups Gruppiert lieferbar Applications Anwendungen Computer-controlled flashes Computer-Blitzlichtgerte Miniature photointerrupters Miniatur Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln 2015-06-24 1Version 1.2 BPX 81 Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer 2 = 950 nm, E = 0.5 mW/cm , e V = 5 V CE I A PCE BPX 81 > 250 Q62702P0020 BPX 81-2/3 250 ... 800 Q62702P3583 BPX 81-3 400 ... 800 Q62702P0043S003 BPX 81-3/4 > 400 Q62702P3584 BPX 81-4 > 630 Q62702P0043S004 Note: Only one bin within one packing unit (variation less than 2:1) Anm.: Nur eine Gruppe pro Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1) Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T T -40 ... 80 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Collector-emitter voltage V 35 V CE Kollektor-Emitter-Spannung Collector current I 50 mA C Kollektorstrom Collector surge current I 200 mA CS Kollektorspitzenstrom ( < 10 s) Emitter-collector voltage V 7 V EC Emitter-Kollektor-Spannung Total power dissipation P 90 mW tot Verlustleistung Thermal resistance R 750 K / W thJA Wrmewiderstand 2015-06-24 2