RTM5070

Signalsensoren 5mm Indicator Sensors 5mm Metallfassungen Metal Holders Allgemeine Hinweise und Technische Daten General Remarks and Technical Data Allgemeine Hinweise und technische Daten: siehe Seite 4 General remarks and technical data: see page 4 Spezifische Technische Daten Specific Technical Data Gehusewerkstoff: CuZn verchromt Housing Material: CuZn chrome plated Steckeinsatz: PC UL94 schwarz Plug Insert: PC UL94 black Wellenlnge: 950nm Wavelength: 950nm Strahlstrke: I 20mW/sr bei Durchlassstrom I 100mA Radiant Intensity: I 20mW/sr at Forward current I 100mA e F e F Durchlaspannung: V 1.3V bei Durchlassstrom I 100mA Forward Voltage: V 1.3V at Forward current I 100mA F F F F Ausstiegszeit tr, Abfallzeit tl: 400ns Rise time tr, Fall time tl: 400ns Halbwinkel: 22C Half angle: 22C Die Infrarot-Dioden zeichnen sich durch gute spektrale Anpassung an Fototransis- The infrared diodes are characterised by their good spectral adaptation to photo toren, hohe Strahlstrke und groe Reichweite (6-10m) aus. Sie sind fr Impulsbe- transistors, high beam intensity and long range distances (6-10m). They are suitable trieb geeignet. Die Signalsensoren fr Frontplatteneinbau sind fr Schraubbefesti- for pulsed operation. The signal sensors for front panel installation are designed for gung mit einer empfohlenen Einbaubohrung von 8mm ausgelegt. screw mounting with a recommended installation hole of 8mm. 11.5 2.5 SW10 314 18 23.3 Anode 666 2690.8001 Art.-Nr. Durch Verwendung von Dichtungen ist die Infrarot-Diode in strahlwasserge- Seals allow the infrared diode to be used in water-jet-proof IP65 designs. Supplied schtzter Ausfhrung IP65 einsetzbar. Lieferung inklusive Scheibe und Mutter. with washer and hexagonal nut. 2.5 SW10 7 11.5 Anode 667 RTM 5070 Art.-Nr. 16.5 18 Spezifische Technische Daten Specific Technical Data Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung: V 30V Collector-Emitter-Breakdown Voltage: V 30V BR CEO BR CEO Emitter-Kollektor-Durchbruchspannung: V 5V Emitter-Collector- Breakdown Voltage: V 5V BR ECO BR ECO Verlustleistung: P 100mW Power Disipation: P 100mW tot tot Anstiegszeit t , Abfallzeit t : 3s Rise time t , Fall time t : 3s r t r t Wellenlnge: 940nm Wavelength: 940nm Kollektor-Emitter-Strom: I 100A Collektor-Emitter-Current: I 100A PCE PCE Der Fototransistor zeichnet sich durch gute spektrale Anpassung an Infrarot-LEDs The photo transistor is characterised by its good spectral adaptation to infrared aus. Er ist geeignet fr Bereiche der sichtbaren und nahen infraroten Strahlung. Er LEDs. It is suitable for visible and near-infrared radiation. It has a high photosen- besitzt eine hohe Fotoempfindlichkeit. Fr Frontplatteneinbau mit Schraubbefesti- sitivity. Designed for front panel installation with screw mounting and a recom- gung und einer empfohlenen Einbaubohrung von 8mm ausgelegt. mended installation hole of 8mm. 23.3 11.5 2.5 SW10 314 15 Collector 668 2691.8001 Art.-Nr. Emitter Magerdruck keine Lagerware Bestellmenge und Preise auf Anfrage Light printing non-stock item Quantity and prices on request 49 00 OPTO 9.indb 4900 OPTO 9.indb 49 007.03.2008 12:07:327.03.2008 12:07:32 13 9.5 9.5 5 10 5 0.5x0.6 0.52 0.5 2.54 2.54 2.54 M8x0.75 M8x0.75 M8x0.75X-ON Electronics Largest Supplier of Electrical and Electronic Components Click to view similar products for mentor manufacturer: Other Similar products are found below : 2692.8381 352.61 331.250 3270.0883 277.2 1316.2001 476.61 225.2 1801.2031 4331.6031 3246.2003 1801.2831 5582.6631 5554.6612 277.6 1847.6331 3268.1111 534.6 263.1 1275.1002 1850.3031 355.41 507.6131 2271.1009 1801.7033 3212.1200 3277.1003 1274.1021 4458.6328 720.4 3277.1803 1272.0020 M.5030G M.5030Y 2663.8083 268.02 1271.2001 1848.1333 1808.8035 2658.8023 1273.1010 3470.1001 1844.6234 3312.1401 533.603 1293.1200 648.66 1844.1732 4309.0021 3270.0553