2007-04-02 GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 487 P Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability Hohe Zuverlssigkeit High pulse handling capability Hohe Impulsbelastbarkeit Good spectral match to silicon photodetectors Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfnger Same package as SFH 309 Gehusegleich mit SFH 309 Applications Anwendungen IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk- und recorders, dimmers Videogerten, Lichtdimmern Light-reflection switches (max. 500 kHz) Lichtschranken bis 500 kHz Coin counters Mnzzhler Sensor technology Sensorik Discrete optocouplers Diskrete Optokoppler Notes Hinweise Depending on the mode of operation, these devices Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile emit highly concentrated non visible infrared light hochkonzentrierte, nicht sichtbare which can be hazardous to the human eye. Products Infrarot-Strahlung, die gefhrlich fr das which incorporate these devices have to follow the menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC Bauteile enthalten, mssen gem den 62471. Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471 behandelt werden. 2007-04-02 1Version 1.0 SFH 487 P Ordering Information Bestellinformation Type: Radiant Intensity Ordering Code Typ: Strahlstrke Bestellnummer I = 100 mA, t = 20 ms F p I mW/sr e SFH 487 P 4 ( 2) Q62703Q0517 Note: 3 mm LED package (T 1), plane, violet-colored transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10), anode marking: short lead Anm:: 3-mm-LED-Gehuse, plan, klares violettes Epoxy-Gieharz, Anschlsse im 2.54-mm-Raster (1/10), Anodenkennzeichnung: krzerer Anschlu Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range T T -40 ... 100 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V 5V R Sperrspannung Forward current I 100 mA F Durchlassstrom Surge current I 2.5 A FSM Stostrom (t 10 s, D = 0) p Total power dissipation P 200 mW tot Verlustleistung 1) page 12 Thermal resistance junction - ambient R 375 K / W thJA Wrmewiderstand Sperrschicht - Umgebung 1) Seite 12 2007-04-02 2