2013-11-20 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 3015 FA Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 770 ... 1090 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: nm (typ) 770 ... 1090 nm Package: Chipled Gehuse: Chipled Narrow angle (13) Enger Empfangswinkel (13) Low profile sidelooker (1.6mm) Sidelooker mit geringer Bauhhe (1.6mm) Emitter in same package available: SFH 4045N Emitter im gleichen Gehuse verfgbar: SFH 4045N Applications Anwendungen Interrupters, Lightcurtains Lichtschranken, Lichtvorhnge Sensor Technology Sensorik Proximity sensor Nherungssensor Touchscreen berhrungsempfindliche Bildschirme Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer 2 = 950 nm, E = 0.1 mW/cm , V = 5 V e CE I A PCE SFH 3015 FA 160 ... 800 Q65110A9730 Note: Only one bin within one packing unit (variation less than 2:1) Anm.: Nur eine Gruppe pro Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1) 2013-11-20 1Version 1.2 SFH 3015 FA Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating temperature range T -25 ... 85 C op Betriebstemperatur Storage temperature range T -40 ... 85 C stg Lagertemperatur Collector-emitter voltage V 15 V CE Kollektor-Emitter-Spannung Collector-emitter voltage V 30 V CE Kollektor-Emitter-Spannung (t < 2 min) Collector current I 15 mA C Kollektorstrom Collector surge current I 75 mA CS Kollektorspitzenstrom ( = 10 s) Emitter-collector voltage V 7V EC Emitter-Kollektor-Spannung Characteristics (T = 25 C, = 950 nm) A Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Wavelength of max. sensitivity 870 nm S max Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity 770 ... 1090 nm 10% Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 2 Radiant sensitive area A0.04 mm Bestrahlungsempfindliche Flche Dimensions of chip area L x W 0.35 x 0.35 mm x Abmessung der Chipflche mm Half angle 13 Halbwinkel 2013-11-20 2