2014-12-04 Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4356P Features: Besondere Merkmale: Wavelength 850nm Wellenlnge 850nm Short switching time Kurze Schaltzeit Good spectral match to silicon photodetectors Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfnger Applications Anwendungen IR remote control IR-Gertefernsteuerung Sensor technology Sensorik Discrete optocouplers Diskrete Optokoppler Discrete interrupters Diskrete Lichtschranken Notes Hinweise Depending on the mode of operation, these devices Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile emit highly concentrated non visible infrared light hochkonzentrierte, nicht sichtbare which can be hazardous to the human eye. Products Infrarot-Strahlung, die gefhrlich fr das which incorporate these devices have to follow the menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC Bauteile enthalten, mssen gem den 62471. Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471 behandelt werden. 2014-12-04 1Version 1.0 SFH 4356P Ordering Information Bestellinformation Type: Radiant Intensity Ordering Code Typ: Strahlstrke Bestellnummer I = 100 mA, t = 20 ms F p I mW/sr e SFH 4356P 12 ( 6.3) Q65111A6135 Note: Measured at a solid angle of = 0.01 sr Anm.: Gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range T T -40 ... 100 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V 5 V R Sperrspannung Forward current I 100 mA F Durchlassstrom Surge current I 1 A FSM Stostrom (t 200 s, D = 0) p Total power dissipation P 200 mW tot Verlustleistung ESD withstand voltage V 2 kV ESD ESD Festigkeit (acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-001 - HBM) 1) page 11 Thermal resistance junction - ambient R 350 K / W thJA Wrmewiderstand Sperrschicht - Umgebung 1) Seite 11 Thermal resistance junction - soldering point R 150 K / W thJS Wmewiderstand Sperrschicht - Ltstelle 2014-12-04 2