Q62702P3582 OSRAM

NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 43 Wesentliche Merkmale Features Speziell geeignet fr Anwendungen im Bereich Especially suitable for applications from von 450 nm bis 1100 nm 450 nm to 1100 nm Hohe Linearitt High linearity Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit Hermetically sealed metal package (TO-18) Basisanschlu, geeignet bis 125 C with base connection suitable up to 125 C Gruppiert lieferbar Available in groups Anwendungen Applications Lichtschranken fr Gleich- und Photointerrupters Wechsellichtbetrieb Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen/Steuern/Regeln Typ Bestellnummer Type Ordering Code BPX 43 Q62702-P16 BPX 43-2/3 Q62702-P3580 BPX 43-3 Q62702-P16-S3 BPX 43-3/4 Q62702-P3581 BPX 43-4 Q62702-P16-S4 BPX 43-4/5 Q62702-P3582 BPX 43-5 Q 62702-P16-S5 2001-02-21 1BPX 43 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Symbol Wert Einheit Parameter Symbol Value Unit Betriebs- und Lagertemperatur T T 40 + 125 C op stg Operating and storage temperature range Lttemperatur bei Tauchltung T 260 C S Ltstelle 2 mm vom Gehuse, Ltzeit t 5 s Dip soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 5 s Lttemperatur bei Kolbenltung T 300 C S Ltstelle 2 mm vom Gehuse, Ltzeit t 3 s Iron soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 3 s Kollektor-Emitterspannung V 50 V CE Collector-emitter voltage Kollektorstrom I 50 mA C Collector current Kollektorspitzenstrom, < 10 s I 200 mA CS Collector surge current Emitter-Basisspannung V 7V EB Emitter-base voltage Verlustleistung, T = 25 C P 220 mW A tot Total power dissipation Wrmewiderstand R 450 K/W thJA Thermal resistance 2001-02-21 2