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2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 43 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450 ... 1100 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: nm (typ) 450 ... 1100 nm Package: Metal Can (TO-18), hermetically sealed Gehuse: Metall Gehuse (TO-18), hermetisch dicht Special: Base connection Besonderheit: Basisanschluss Suitable up to 125C Geeignet bis zu 125C High linearity Hohe Linearitt Available in groups Gruppiert lieferbar Applications Anwendungen Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln 2014-01-14 1Version 1.1 BPX 43 Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer 2 = 950 nm, E = 0.5 mW/cm , V = 5 V e CE I A PCE BPX 43 800 Q62702P0016 BPX 43-3/4 1250 ... 4000 Q62702P3581 BPX 43-4 2000 ... 4000 Q62702P0016S004 BPX 43-4/5 2000 Q62702P3582 BPX 43-5 3200 Q62702P0016S005 Note: Only one bin within one packing unit (variation less than 2:1) Anm.: Nur eine Gruppe pro Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1) Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T T -40 ... 125 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Collector-emitter voltage V 50 V CE Kollektor-Emitter-Spannung Collector current I 50 mA C Kollektorstrom Collector surge current I 200 mA CS Kollektorspitzenstrom ( < 10 s) Emitter-base voltage V 7V EB Emitter-Basis-Spannung Total power dissipation P 220 mW tot Verlustleistung Thermal resistance R 450 K / W thJA Wrmewiderstand 2014-01-14 2